据韩联社1月6日报道，韩国科学技术院（KAIST）6日宣布利用新一代高电介质材料开发出了高性能、高集成度的存储器元件。据悉，研究组利用二氧化铪材料在超薄膜材质中实现了高容量存储，研发出厚度仅为0.24纳米的DRAM电容，还利用二氧化铪材料实现了垂直堆叠1000层的NAND存储技术。

全尚勋（音）教授表示，希望该项研究成果能成为因小型化遇阻而停滞不前的半导体技术突破口，为人工智能和边缘计算商业化做出贡献。