据韩国《首尔经济》8月28日报道,韩国延世大学新材料工学系研究团队开发出可以低电力驱动的Ⅲ-V族元素基础半导体Mem晶体管，并由韩国科学技术信息通信部将此次研究成果刊登在国际学术杂志《自然材料》上。Mem晶体管是构成半导体集成电路的两个主要原件记忆电阻器和晶体管的总和。记忆电阻器是具有记忆电压和电流关系的存储器元件。晶体管起到控制电气信号和存储数据的作用。

Mem晶体管可以解决分别启动记忆电阻器和晶体管时产生的问题。研究人员评价称，此次研究提高了半导体产业领域利用Mem晶体管的可能性。